삼성전자가 세계 최초로 900단 V-NAND 플래시 메모리 시제품 개발에 성공했다. 2013년 업계 최초로 3D V-NAND를 상용화한 이후 불과 10여 년 만에 24단에서 900단까지 도달한 것으로, 반도체 업계의 이목이 집중되고 있다.
이번 포스팅에서는 핵심 기술인 CMB 방식의 원리, 경쟁 구도, 그리고 AI 인프라와의 연관성을 정리한다.
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| 삼성전자 900단 V-NAND 시제품 2026 |
삼성이 이번 시제품에 적용한 기술은 셀 멀티 본딩(CMB, Cell Multi-Bonding)이다. 450단 셀 웨이퍼 두 장을 하나의 칩으로 직접 결합하는 방식으로, 저장 밀도를 대폭 높이면서 전력 소비는 줄이는 효과를 낸다. 고층 적층 시 발생하는 웨이퍼 휨 현상과 정렬 불량 문제는 개선된 어퍼 척(Upper Chuck) 설계와 오버레이 보정(Overlay Correction) 기술로 해결했으며, 비트라인·워드라인 구조 최적화를 통해 칩 크기까지 줄이는 성과를 거뒀다.
현재 낸드 시장의 경쟁 압박은 두 방향에서 거세다. SK하이닉스는 321단 낸드플래시를 이미 양산하며 고단수 시장 선두를 유지하고 있고, 중국의 YMTC는 294단 양산에 돌입하며 빠르게 추격 중이다. 삼성은 이에 맞서 400단 10세대 낸드플래시 양산을 준비하는 동시에, 연구 단계에서는 900단 달성을 이루어냈다. 삼성 경영진이 공식화한 2030년 1,000단 이상 달성 로드맵도 이번 시제품으로 현실성을 갖추게 됐다는 평가다.
낸드 플래시의 고단화 경쟁은 결국 AI 워크로드 수요에서 비롯된다. LLM 학습과 대규모 추론 서비스에는 방대한 스토리지가 필수적이며, 고밀도·저전력 낸드는 AI 서버의 핵심 부품으로 자리잡고 있다. 단수가 높을수록 동일 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 비용과 성능 두 측면 모두에서 경쟁력이 높아진다. 삼성의 900단 시제품은 아직 양산 단계는 아니지만, 차세대 AI 인프라 시장에서의 주도권을 선점하겠다는 명확한 기술 신호로 읽힌다.
K-반도체의 양대산맥 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 경쟁이 AI 인프라 시대를 이끌고 있다. 2030년 1,000단 목표가 현실로 이어질지 주목된다. 🔬
출처: wccftech.com, ETNews
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